Что такое транзистор простыми словами. Транзистор что делаетТранзистор простыми словамиТранзи́стор (англ. transistor), полупроводнико́вый трио́д — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора — изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде.В полевых и биполярных транзисторах управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения или тока. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ) (международный термин — BJT, bipolar junction transistor). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.В 1956 году за изобретение биполярного транзистора Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн получили Нобелевскую премию по физике.На принципиальных схемах обозначается «VT» или «Q». В русскоязычной литературе и документации до 1970-х гг. применялись обозначения «Т», «ПП» (полупроводниковый прибор) или «ПТ» (полупроводниковый триод). ТРАНЗ’ИСТОР, -а, м.1. Полупроводниковый прибор, усиливающий, генерирующий и преобразующий электрические колебания.2. Портативный радиоприёмник с такими приборами.прил. ~ный, -ая, -ое (к 1 знач.). Т. приёмник. Транзистор: определение из словаря Ефремовойм. 1) Полупроводниковый прибор, генерирующий и усиливающий электрические колебания. 2) Название портативного радиоприемника на таких приборах. На текущей странице дано определение слова транзистор простым языком. Надеемся, что после прочтения этого объяснения простыми словами, у вас больше не осталось вопросов, что такое транзистор. wikisimple.ru Транзисторы. Часть 3. Из чего делают транзисторыРанее были рассмотрены история транзисторов, назначение, устройство и принцип работы транзисторов. Сейчас же постараемся осветить вопрос производства транзисторов.В основе производства транзисторов, как и других полупроводниковых приборов (диодов, тиристоров), лежит применение полупроводников n и р типов. У полупроводников n-типа основным носителем заряда являются электроны (электронная проводимость), у полупроводников р-типа – дырки (дырочная проводимость). Для получения полупроводников n и р типа используются чистые полупроводники с добавлением различных примесей (легирование). Для производства транзисторов в основном применяются трех и пятивалентные примеси. В качестве трехвалентной примеси (на внешней оболочке находятся три свободных электрона) применяют индий, галлий, алюминий. Основное назначение этих элементов – организация полупроводника с дырочной проводимостью. Такие элементы называются акцепторами. В качестве пятивалентной примеси применяют сурьму и мышьяк. Такие примеси (доноры) создают полупроводник с электронной проводимостью благодаря наличию «свободного» пятого электрона.  Рисунок 1. Рассмотрим процесс образования полупроводника с электронной проводимостью. В качестве чистого полупроводника будем рассматривать германий, в кристалл которого введем пятивалентный атом сурьмы или мышьяка (рисунок 2).  Рисунок 2 Соседние атомы полупроводника соединяются собой ковалентными связями (связь между двумя электронами каждого из атомов). Атом донора (пятивалентный) внедряется в кристаллическую решетку, при этом четырьмя своими валентными электронами он создает ковалентные связи, а пятый электрон остается свободным. Эти свободные электроны и являются основными носителями заряда в полупроводнике. для получения полупроводника n-типа достаточно лишь одного атома примеси на десять млн. атомов чистого полупроводника. Если к полупроводнику n-типа подключить гальванический элемент (рисунок 3), то свободные электроны под действием внешнего электрического поля начнут двигаться от отрицательного заряда к положительному, т.е. через полупроводник потечет электрический ток.  Рисунок 3 Рассмотрим случай, когда к чистому полупроводнику добавляют трехвалентную примесь (рисунок 4).  Рисунок 4 При подключении источника напряжения к такому кристаллу будет наблюдаться упорядоченное перемещение дырок (рисунок 5), благодаря поэтапному заполнению дырок электронами от соседних атомов. Таким образом создается перемещение положительно заряженных дырок от плюса к минусу. При подходе дырки к отрицательному полюсу источника питания происходит ее заполнение от батареи, в то время как у положительного полюса образуется новая дырка.  Рисунок 5 Для производства полупроводников необходимы чистые полупроводниковые материалы (германий). Для получения полупроводника с правильной кристаллической решеткой его предварительно очищают от примесей, а затем расплавляют и в полученный расплав добавляют затравку (кристалл с правильной решеткой). Расплав обволакивает затравку и, остывая, образует правильную кристаллическую решетку полупроводника.  Рисунок 6 Требуемая проводимость кристалла получается добавлением соответствующих примесей. После полного остывания кристалл разрезается на маленькие пластины, которые в последствии становятся базой транзистора. Для производства коллектора и эмиттера на противоположные стороны пластины подкладывается индий, который приваривался к пластине. Такие участки приобретали дырочную проводимость. Конструкция такого транзистора представлена на рисунке 7.  Рисунок 7. В середине 20 века был изобретен диффузионный транзистор. Для производства коллектора и эмиттера пластинку полупроводника нагревали в газовой атмосфере с парами необходимой примеси, атомы которой проникали в кристаллическую решетку. Производство кремниевых транзисторов основано на планарной технологи, т.е. все переходы выходят на одну поверхность. Всего комментариев: 0  ukrelektrik.com Что такое транзистор?
(изображение кликабельно) Транзистор (полупроводниковый триод) — это радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, как правило с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи. Обычно используется для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. В общем случае транзистором называют любое устройство, которое имитирует главное свойство транзистора - изменения сигнала между двумя различными состояниями при изменении сигнала на управляющем электроде. Изготовление В действительности, для изготовления транзистора берут достаточно тонкую (около 50 мкм) пластину полупроводника определенного типа проводимости и с обеих сторон вплавляют металл, изменяющий тип проводимости на противоположный. Например, в исходную пластину Ge n-типа вплавляют In для получения р-областей (рис. 54). В этом случае получается «бутерброд» типа р-п-р.
Если, наоборот, взять в качестве исходной пластину полупроводника р-типа, то после вплавления соответствующих примесей можно получить n-р-n-«бутерброд». Таким образом, транзисторы бывают р-n-р-типа и n-р-n-типа. Каждая из трех областей транзистора имеет свое название. Например, в р-n-р-транзисторе р-область меньших размеров называется эмиттером, р-область несколько больших размеров — коллектором, и исходная пластина — базой.
Виды транзисторов Различают 2-а вида транзисторов: биполярные и полевые. Биполярные транзисторы управляются током, а не напряжением. Бывают мощные и маломощные, высокочастотные и низкочастотные, p-n-p и n-p-n структуры. Транзисторы выпускаются в разных корпусах и бывают разных размеров, начиная от чип SMD (на самом деле есть намного меньше чем чип) которые предназначены для поверхностного монтажа, заканчивая очень мощными транзисторами. По рассеиваемой мощности различают маломощные до 100 мВт, средней мощности от 0,1 до 1 Вт и мощные транзисторы больше 1 Вт. Проверка биполярных транзисторовПоскольку транзистор состоит из двух переходов, причем каждый из них представляет собой полупроводниковый диод, проверить транзистор можно так же, как проверяют обычный диод. Проверка транзистора как правило осуществляется при помощи ОМметра, проверяют оба p-n перехода транзистора: коллектор – база и эмиттер – база. Для проверки прямого сопротивления переходов p-n-p транзистора минусовой вывод ОМметра подключается к базе, а плюсовой вывод ОМметра – поочередно к коллектору и эмиттеру. Для проверки обратного сопротивления переходов к база подключается плюсовой вывод ОМметра. При проверке n-p-n транзисторов подключение производится наоборот: прямое сопротивление измеряется при соединении с базой плюсового вывода омметра, а обратное сопротивление – при соединении с базой минусового вывода. Транзисторы так же можно "прозванивать" цифровым мультиметром в режиме прозвонки диодов. Для NPN красный щуп прибора "+" присоединяем к базе транзистора, и поочередно прикасаемся черным щупом "-" к коллектору и эмиттеру. Прибор должен показывать некоторое сопротивление, примерно от 600 до 1200. Затем меняем полярность подключения щупов, в этом случае прибор ничего не должен показывать. Для структуры PNP порядок проверки будет обратным. Рекомендации по эксплуатации транзисторовЗначения большинства параметров транзисторов зависят от реального режима работы и температуры, причем с увеличением температуры параметры транзисторов могут меняться. В справочнике приведены, как правило, типовые (средние) зависимости параметров транзисторов от тока, напряжения, температуры, частоты и т.п. Для обеспечения надежной работы транзисторов нужно принимать меры, исключающие длительные электрические нагрузки, близкие к предельно допустимым, например заменять транзистор на аналогичный но меньшей мощности не стоит, это касается не только мощностей, но и других параметров транзистора. В некоторых случаях для увеличения мощности транзисторы можно включать параллельно, когда эмиттер соединяется с эмиттером, коллектор с коллектором и база – с базой. Перегрузки могут быть вызваны разными причинами, например от перенапряжения, для защиты от перенапряжения часто применяют быстродействующие диоды. Что касается нагрева и перегрева транзисторов, температурный режим транзисторов не только оказывает влияние на значение параметров, но и определяет надежность их эксплуатации. Следует стремиться к тому, чтобы транзистор при работе не перегревался, в выходных каскадах усилителей транзисторы обязательно нужно ставить на большие радиаторы. Защиту транзисторов от перегрева нужно обеспечивать не только во время эксплуатации, но и во время пайки. При лужении и пайке следует принимать меры, исключающие перегрев транзистора, транзисторы во время пайки желательно держать пинцетом, для защиты от перегрева. Историческая справка Первые патенты на принцип работы полевых транзисторов были зарегистрированы в Германии в 1928 году В 1956году за изобретение биполярного транзистора Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн, Уолтер Хаузер Браттейн получили Нобелевскую премию по физике. Видео обзор по транзисторам ← здесь. РЕКОМЕНДУЕМ Просмотров: 49838 | Комментариев: 0 | Дата: 02.08.2014 proelektrik.ucoz.ru |
|
|||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||
|
