Прямое и обратное включение диода: устройство, характеристика, как пропускает ток при прямом и обратном включении

Содержание

Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Достоинства и недостатки. — Мегаобучалка

— Если приложить внешнее напряжение плюсом на металл, а минусом на полупроводник, возникает внешнее электрическое поле, направленное навстречу полю перехода Шоттки. Это внешнее поле компенсирует поле перехода Шоттки и будет являться ускоряющим для электронов полупроводника. Электроны будут переходить из полупроводника в металл, образуя сравнительно большой прямой ток. Такое включение называется прямым.

— При подаче минуса на металл, а плюса на полупроводник возникает внешнее электрическое поле, сонаправленное с полем перехода Шоттки. Оба этих поля будут тормозящими для электронов полупроводника, и будут отбрасывать их от границы раздела. Оба этих поля будут ускоряющими для электронов металла, но они через границу раздела не пройдут, так как у металла больше работа выхода электрона. Такое включение перехода Шоттки называется обратным.

Обратный ток через переход Шоттки будет полностью отсутствовать, так как в металле не существует неосновных носителей зарядов.

Изготовление

В точечном диоде используется пластинка германия или кремния с электропроводностью n- типа (рис.3.1), толщиной 0,1…0,6мм и площадью 0,5…1,5 мм2; с пластинкой соприкасается заостренная проволочка (игла) с нанесенной на нее примесью. При этом из иглы в основной полупроводник диффундируют примеси, которые создают область с другим типом электропроводности. Таким образом, около иглы образуется миниатюрный р-n- переход полусферической формы.

Для изготовления германиевых точечных диодов к пластинке германия приваривают проволочку из вольфрама, покрытого индием. Индий является для германия акцептором. Полученная область германия р-типа является эмиттерной.

Для изготовления кремниевых точечных диодов используется кремний n- типа и проволочка, покрытая алюминием, который служит акцептором для кремния.

В плоскостных диодах р-n- переход образуется двумя полупроводниками с различными типами электропроводности, причем площадь перехода у различных типов диодов лежит в пределах от сотых долей квадратного миллиметра до нескольких десятков квадратных сантиметров (силовые диоды).

Плоскостные диоды изготовляются методами сплавления (вплавления) или диффузии.

В пластинку германия n- типа вплавляют при температуре около 500^оС каплю индия которая, сплавляясь с германием, образует слой германия р- типа. Область с электропроводностью р- типа имеет более высокую концентрацию примеси, нежели основная пластинка, и поэтому является эмиттером. К основной пластинке германия и к индию припаивают выводные проволочки, обычно из никеля. Если за исходный материал взят германий р- типа, то в него вплавляют сурьму и тогда получается эмиттерная область n- типа.

Диффузионный метод изготовления р-n- перехода основан на том, что атомы примеси диффундируют в основной полупроводник. Для создания р- слоя используют диффузию акцепторного элемента (бора или алюминия для кремния, индия для германия) через поверхность исходного материала.

Достоинства и недостатки

Полупроводниковые диоды обладают многими преимуществами по сравнению с вакуумными диодами – малые размеры, длительный срок службы, механическая прочность. Существенным недостатком полупроводниковых диодов является зависимость их параметров от температуры. Кремниевые диоды, например, могут удовлетворительно работать только в диапазоне температур от –70 °C до 80 °C. У германиевых диодов диапазон рабочих температур несколько шире.

Достоинства перехода Шоттки:

— отсутствие обратного тока;

— переход Шоттки может работать на СВЧ;

— высокое быстродействие при переключении из прямого состояния в обратное и наоборот.

Недостаток диода Шоттки – стоимость. В качестве металла обычно применяют золото.

Перспективы развития

Ударно-ионизационный волновой пробой и генерация пикосекундных сверхширокополосных и сверхвысокочастотных импульсов в дрейфовых диодах на основе GaAs с резким восстановлением:

Впервые экспериментально подтверждено, что работа дрейфовых GaAs-диодов с резким восстановлением, изготовленных из p⁺-p⁰-n⁰-n⁺-структур, сопровождается возбуждением сверхвысокочастотных осцилляций в виде цугов коротких импульсов длительностью ~ 10 пс. Амплитуда импульсов и частота их повторения достигают значений ~ 100 В и ~ (10-100) ГГц соответственно. Факт существования явлений задержанного обратимого волнового пробоя и возбуждения сверхвысокочастотных осцилляций в структурах GaAs-диодов с резким восстановлением открывает перспективы развития новых направлений как в физике и технике полупроводниковых приборов на основе GaAs-структур, так и в новых областях техники и технологии сверхвысокочастотных и сверхширокополосных систем и устройств, оперирующих с импульсными сигналами пикосекундной длительности.

Заключение

Полученные данные позволяют расчетным путем конструировать полупроводниковые приборы по заранее заданным характеристикам. Возможно создание новых типов приборов или изменение конструкции — существующих. Например, один из дополнительных переходов можно безболезненно удалить из конструкции «туннельного» диода (любой). То же справедливо и для стабилитронов, поскольку два перехода не бывают идентичными, а близость их свойств может породить спонтанный переход стабилитрона в режим «туннелирования» на обратной ветви.

Раскрытие механизма образования паразитного диода и режима его работы позволяет решить проблему оптимизации переходов, заключающуюся в выборе технологических режимов изготовления приборов.

Рассмотренные примеры показывают, сколь ущербна сегодняшняя физика полупроводников и сколь необходима ее коренная переработка.

Список литературы

1. Тугов Н.М., Глебов Б.А. Полупроводниковые приборы — М.:Энергоатомиздат,1990г.— 576с.

2. Козлов В.А., Рожков А.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Журнал «Физика и техника полупроводников», том 37, вып. 12 С-Пб: ФТИ, 2003г. – 140с.

3. Хлебников М.М. «Электронные приборы». Учебник для электротехнических институтов связи – М.: «Связь», 1986г. – 598с.

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника – М.: Высшая школа,1991г.— 617с.

Диоды, выпрямление тока, стабилитроны, тиристоры.

Выходное напряжение обычного, нестабилизированного источника постоянного электрического тока подвержено колебаниям, из- за изменений напряжения на его входе.
Рисунок.
При подключении различных потребителей потребляющих разный ток напряжение так же меняется – возрастает при меньшей нагрузке, падает при большей.
Для нормальной работы электронных устройств необходимо это напряжение стабилизировать,
сделав его величину независимой от вышеупомянутых факторов.

Стабилитроны это полупроводниковые диоды, использующиеся для стабилизации напряжения в различных источниках питания.
В отличии от обычных диодов работают при обратном включении, в режиме пробоя.
Это не наносит им вреда, если не превышается предел рассеивающей мощности,
величина которого является производной, от падения напряжения на переходе
и тока через него протекающего.

Итак, важнейшие параметры стабилитрона — это напряжение стабилизации и максимальный рабочий ток.
Рабочий ток стабилитрона, ограничивается с помощью последовательно включенного резистора.

Трехэлектродные тиристоры(тринисторы) — полупроводниковые приборы, применяемые для регулирования
мощности в сетях переменного и постоянного токов.
Тиристор легко переходит из закрытого (непроводящего) состояния в открытое, при подаче на
управляющий электрод открывающего импульса. После того, как тиристор открыт, он остается
в таком состоянии, пока протекающий через него ток не снизится до определенного
порогового значения.

При работе в цепях переменного тока, подобное снижение происходит с каждой сменой
полярности, при изменении фазы.
В цепях постоянного тока, для отключения используются специальные схемы.

Помимо способности пропускать ток только в одном направлении, p-n переход обладает рядом других интересных особенностей.
Например, способностью излучать(в т. ч. и в видимом диапазоне) при протекании тока в прямом направлении и генерировать эл.
ток под воздействием излучения. Эта особенность используется при реализации таких электронных элементов как светодиоды, фотодиоды и
фотоэлементы.

Кроме того, любой p-n переход обладает еще и электрической емкостью, а кроме того, возможностью ее изменять с помощью напряжения приложенного
в обратном направлении. Используя ее удалось создать такие полезные элементы как ВАРИКАПЫ.

Варикапы.

Итак, p-n переход обладает электрической емкостью, величина которой зависит от его площади и ширины. Если подавать напряжение в обратном направлении — переход смещается, площадь остается
неизменной, но ширина увеличивается. Емкость, при этом соответственно — уменьшается. Появляется возможность, изменяя величину приложенного напряжения, эту емкость регулировать.
Электронные элементы(диоды, по сути) созданные на этом принципе называют — варикапами.

Варикапы используются в радиоаппаратуре вместо обычных конденсаторов переменной емкости для перестройки частоты колебательных контуров. Приемущество
Применение варикапов позволило значительно снизить габариты и повысить эффективность блоков селекции радиоприемных устойств, относительно просто и недорого реализовать автоматизацию процессов
настройки(проводимых ранее вручную).

Диоды Шоттки.

Диод Шоттки(диод с барьером Шоттки) — полупроводниковый диод с малым падением напряжения(0,2—0,4 вольт) при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки.

В диодах Шоттки в отличие от обычных диодов,вместо p-n перехода используется переход металл-полупроводник.
Это дает ряд особых преимуществ — пониженное
падение напряжения при прямом включении, очень маленький заряд обратного восстановления.

Последнее объясняется тем, что в отличии от обычных диодов
диоды Шоттки работают только на основных носителях, а их быстродействие ограничивается лишь барьерной емкостью.
Диоды Шоттки наиболее целесообразно использовать в быстродействующих импульсных цепях, для выпрямления малых напряжений высокой частоты, в высокочастотных смесителях, в ключах и коммутаторах.

Светодиоды.

При протекании прямого тока через любой p-n переход(любого диода!) происходит генерация фотонов. Это является следствием циклической рекомбинации — восстановления
атомов вещества в процессе перемещения основных носителей тока.

Электронные элементы служащие для генерации света и основанный на этом принципе называется соответственно — светодиодами.
Светодиоды используют для индикации, передачи информации, в составе таких электронных приборов как оптопары.

К.П.Д. и яркость современных светодиодов настолько высоки, что на настоящий момент они являются наиболее перспективными источниками искуственного освещения.
В зависимости от материала выбранного в качестве полупроводника светодиоды излучают на разных длинах волн.

ИК — диоды излучают в инфракрасной области, индикаторные и осветительные светодиоды в видимой части спектра(зеленые, красные, желтые и т. п.).
Наиболее высоким К.П.Д. отличаются светодиоды излучающее в ультрафиолетовой области. Интересно, что как раз этот тип наиболее часто применяется
для освещения. Белый свет получается при использовании специального люминофора, преобразующего ультрафиолет.

Интенсивность излучения светодиода возрастает при увеличении тока протекающего через p-n переход, до определенного предела.
После его достижения сетодиод выходит из строя. Поэтому, для нормальной работы необходимо ограничивать ток.

Как правило, это реализуется с помощью последовательного подключения резистора.

Стабисторы.

Существующие стабилитроны имеют ограничение по минимальному напряжению стабилизации(около 3 В).
Что делать, если необходим источник стабилизированного напряжения
до 3-х вольт? Использовать прямую ветвь Вольт — Амперной Характеристики диода(ВАХ). В области прямого смещения p-n-перехода напряжение на нем может иметь значение 0,7…2 В(в зависимости от материала полупроводника)
и мало зависит от тока.
Диоды специально используемые в этом качестве, называют — СТАБИСТОРАМИ.

Фотодиоды.

Фотодиод — это светочувствительный полупроводниковый элемент с одним p-n переходом, обратный ток которого меняется в зависимости от уровня освещенности.

Величина на которую происходит его изменение при этом, называется фототоком.

Фотодиоды используют для преобразования сигналов передаваемых в оптическом режиме в электрическую форму. Малая инерционость фотодиодов способствует приему передачи информации,
с большой плотностью, например, в при передаче ее по оптоволоконным линиям. Кроме того фотодиоды могут использоваться в фотоприемниках дистанционного управления и т. д.

На главную страницу

Прямое смещение против обратного смещения и их влияние на функциональность диода

С того дня, когда моя мама удивила меня первым домашним компьютером на Рождество, ну, скажем так, давным-давно, я был заинтригован этой технологией. Как бы то ни было, в то время я был предметом зависти всех товарищей-компьютерщиков, ботаников и учителей в моей школе. Там я был с впечатляющими 64 килобайтами необработанной вычислительной мощности.

Теперь перенесемся в настоящее время, и мой ноутбук использует в 100 000 раз больше только оперативной памяти. Таким образом, можно с уверенностью сказать, что компьютерные технологии развивались. Однако есть одна вещь, которой нет, и это конкурентоспособность производителей компьютеров.

Бывают случаи, когда выбор одного устройства или метода зависит от потребности или функции. Более того, потребность в той или иной функциональности является преобладающей движущей силой при выборе устройства или процесса в области электроники.

Что такое диодное смещение или смещение?

Прежде чем мы сравним два типа предвзятости, сначала я расскажу об их индивидуальных характеристиках. В электронике мы определяем смещение или смещение как метод установления набора токов или напряжений в различных точках электронной схемы для установления надлежащих условий работы внутри электронного компонента. Хотя это упрощенная версия ответа, в целом она верна. Кроме того, при смещении существуют два типа смещения: прямое смещение и обратное смещение.

Я уверен, вы знаете, что диод (PN-переход) во многом похож на шоссе с односторонним движением, поскольку он позволяет току легче течь в одном направлении, чем в другом. Таким образом, диод обычно проводит ток в одном направлении, и напряжение, которое они прикладывают, соответствует описанной ориентации прямого смещения. Однако, когда напряжение движется в обратном направлении, мы называем эту ориентацию обратным смещением. Кроме того, при обратном смещении стандартный диод с PN-переходом обычно подавляет или блокирует протекание тока, почти как электронный вариант обратного клапана.

Прямое смещение и обратное смещение

В стандартном диоде прямое смещение происходит, когда напряжение на диоде допускает естественное протекание тока, тогда как обратное смещение обозначает напряжение на диоде в противоположном направлении.

Однако напряжение, присутствующее на диоде во время обратного смещения, не вызывает значительного протекания тока. Кроме того, эта конкретная характеристика полезна для преобразования переменного тока (AC) в постоянный ток (DC).

Существует множество других применений этой характеристики, включая управление электронными сигналами.

Знание размещения стабилитронов может создать или разрушить проект.

Работа диода

Ранее я дал более упрощенное объяснение работы стандартного диода. Детальный процесс диода может быть несколько сложным для понимания, поскольку он требует понимания квантовой механики. Работа диода связана с потоком отрицательных зарядов (электронов) и положительных зарядов (дырок). С технической точки зрения мы называем полупроводниковый диод p-n переходом. P-n переходы также являются неотъемлемой частью работы фотогальванического элемента.

В целом, для правильной работы диода требуется еще один важный элемент или процесс, называемый легированием. Вы можете легировать полупроводник материалами, чтобы облегчить избыток легко вытесняемых электронов, которые мы называем n-типом или отрицательной областью. Кроме того, полупроводник также можно легировать, чтобы создать избыток дырок, которые также легко поглощают эти электроны, и мы называем это p-типом или положительной областью. Причем положительные и отрицательные участки диода также называют его анодом (Р) и катодом (Н).

В целом именно различия между двумя материалами и их последующая синергия на очень коротких расстояниях (< миллиметра) облегчают работу диода. Однако функциональность диода возможна, конечно, только тогда, когда мы объединяем два типа (P, N) материалов. Кроме того, слияние этих двух типов материалов образует то, что мы называем p-n переходом. Кроме того, область, которая существует между двумя элементами, называется областью истощения.

Примечание. Имейте в виду, что для правильной работы диода требуется минимальное пороговое напряжение для преодоления области истощения. Кроме того, минимальное пороговое напряжение в большинстве случаев для диодов составляет примерно 0,7 вольта. Кроме того, напряжение обратного смещения создает небольшой ток через диод, и это называется током утечки, но обычно им можно пренебречь. Наконец, если вы приложите значительное обратное напряжение, это вызовет полный электронный пробой диода, что позволит току течь в противоположном направлении через диод.

Функциональность и работа диода (продолжение)

Обычно, когда диффузия способствует последующему перемещению электронов из области n-типа, они начинают заполнять дырки внутри области p-типа. В результате этого действия образуются отрицательные ионы в области p-типа, оставляя после себя положительные ионы в области n-типа. В целом, управляющий контроль этого действия находится в направлении электрического поля. Как вы можете себе представить, это приводит к благоприятному электрическому поведению, зависящему, конечно, от того, как вы прикладываете напряжение, то есть от смещения.

Кроме того, что касается стандартного диода с p-n переходом, существуют три условия смещения и две рабочие области. Возможны следующие три типа условий смещения:

Прямое смещение : Это условие смещения включает подключение положительного потенциала напряжения к материалу P-типа и отрицательного потенциала к материалу N-типа через диод, что уменьшает ширину диода.
Обратное смещение : Напротив, это условие смещения включает соединение отрицательного потенциала напряжения с материалом P-типа и положительного потенциала с материалом N-типа через диод, что увеличивает ширину диода.
Нулевое смещение : Это состояние смещения, при котором на диод не подается внешний потенциал напряжения.

Прямое смещение против обратного смещения и их различия

Обратное смещение усиливает потенциальный барьер и препятствует потоку носителей заряда. Напротив, прямое смещение ослабляет потенциальный барьер, что позволяет току легче течь через переход.

При прямом смещении мы подключаем положительную клемму источника напряжения к аноду, а отрицательную клемму к катоду. Напротив, при обратном смещении мы подключаем положительный вывод источника напряжения к катоду, а отрицательный вывод — к аноду.

Прямое смещение уменьшает силу потенциального барьера электрического поля поперек потенциала, тогда как обратное смещение усиливает потенциальный барьер.
Прямое смещение имеет анодное напряжение, превышающее катодное напряжение. Напротив, при обратном смещении напряжение на катоде больше, чем напряжение на аноде.
Прямое смещение имеет значительный прямой ток, а обратное смещение имеет минимальный прямой ток.
Обедненный слой диода значительно тоньше при прямом смещении и намного толще при обратном смещении.
Прямое смещение уменьшает сопротивление диода, а обратное смещение увеличивает сопротивление диода.
Ток течет без усилий при прямом смещении, но обратное смещение не позволяет току течь через диод.
Уровень тока зависит от прямого напряжения при прямом смещении, однако величина тока минимальна или пренебрежимо мала при обратном смещении.
При прямом смещении устройство работает как проводник, а при обратном — как изолятор.

Планирование схемы на основе потенциалов смещения является признаком грамотного анализа.

Способность диода функционировать как два отдельных, но одинаково эффективных устройства делает его действительно адаптивным компонентом. Влияние смещения на функциональность диода обеспечивает оптимальный контроль над тем, какую функцию диод будет играть в вашей схеме. Использование прямого и обратного смещения дает разработчику схемы оптимальный контроль над функциональностью диода.

К счастью, благодаря набору инструментов Cadence для проектирования и анализа ваши дизайнеры и производственные группы будут работать вместе над внедрением методов прямого и обратного смещения во всех ваших проектах печатных плат. Allegro PCB Designer — это решение для компоновки, которое вы искали, и оно, несомненно, может облегчить реализацию стратегий проектирования с прямым или обратным смещением в ваших текущих и будущих проектах печатных плат.

Если вы хотите узнать больше о том, как у Cadence есть решение для вас, обратитесь к нам и нашей команде экспертов. Чтобы посмотреть видео по связанным темам или узнать, что нового в нашем наборе инструментов для проектирования и анализа, подпишитесь на наш канал YouTube.

Решения Cadence PCB — это комплексный инструмент для проектирования от начала до конца, позволяющий быстро и эффективно создавать продукты. Cadence позволяет пользователям точно сократить циклы проектирования и передать их в производство с помощью современного отраслевого стандарта IPC-2581.

Подпишитесь на Linkedin

Посетить сайт

Больше контента от Cadence PCB Solutions

УЧИТЬ БОЛЬШЕ

Работа с диодами — Энергетическое образование

Энергетическое образование

Меню навигации

ИСТОЧНИКИ ЭНЕРГИИ

ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ

ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ

ИНДЕКС

Поиск

Рис. 1. P-n переход диода вместе с соответствующими схематичными и реальными компонентами. ^[1] Катод и анод диода помечены таким образом, что обычный ток течет от анода к катоду через диод.

То, как работает диод , может быть трудно понять, поскольку оно включает в себя довольно продвинутую квантовую механику. Однако на простейшем уровне работу диода можно понять, глядя на поток положительных зарядов (или «дырок») и отрицательных зарядов (электронов). Технически полупроводниковый диод обозначается как p-n переход . Эти p-n-переходы также важны для работы фотогальванического элемента. Для правильной работы диода требуется процесс, известный как легирование. Полупроводники могут быть легированы материалами, так что они имеют избыток легко вытесняемых электронов, что обычно называют отрицательный регион или n-типа . Кроме того, они могут быть легированы элементами, которые создают избыток дырок, которые легко поглощают эти электроны — обычно называемые положительной или областью p-типа . ^[2] ^[3] Отрицательная и положительная области диода также являются катодом и анодом компонента соответственно (см. рис. 1).

Различия между этими двумя материалами и их взаимодействие на очень коротких расстояниях (менее миллиметра) приводят к диоду при соединении двух типов. Соединение этих двух типов создает p-n переход, а область между двумя сторонами называется обедненной областью, поскольку электроны из области n-типа диффундируют и заполняют некоторые дырки в области p-типа. Это создает отрицательные ионы в области р-типа и оставляет положительные ионы в области n-типа (см. рис. 2). ^[4] По-разному реагирует на электрические поля в зависимости от направления электрического поля. Это приводит к полезному электронному поведению в зависимости от того, каким образом прикладывается напряжение (или электрическое поле), это называется смещением.

Смещение

Диод (PN-переход) в электрической цепи позволяет току легче течь в одном направлении, чем в другом. Прямое смещение означает подачу напряжения на диод, что позволяет току легко течь, в то время как обратное смещение означает подачу напряжения на диод в противоположном направлении. Напряжение с обратным смещением не вызывает протекания заметного тока. Это полезно для преобразования переменного тока в постоянный ток. У него есть и другие применения в управлении электронными сигналами.

Обратное смещение

Рис. 2. P-n-переход с обратным смещением, черные кружки обозначают легко смещаемые электроны, а белые кружки обозначают электронодефицитные «дырки». В таком соединении с обратным смещением электроны покидали бы черные круги и двигались к внешней цепи, оставляя после себя больше положительных ионов, в то время как электроны из внешней цепи «заполняли бы дыры», создавая больше отрицательных ионов.

Если к диоду приложено напряжение таким образом, что половина диода n-типа была подключена к положительному выводу источника напряжения, а половина p-типа была подключена к отрицательному выводу, электроны от внешнего Цепь будет создавать больше отрицательных ионов в области p-типа, «заполняя дыры», и больше положительных ионов будет создаваться в области n-типа, поскольку электроны смещаются к положительному выводу источника напряжения (см. Рисунок 2). Следовательно, область истощения будет увеличиваться, и напряжение между областями p-типа и n-типа также будет увеличиваться по мере того, как общий заряд на каждой стороне перехода увеличивается по величине до тех пор, пока напряжение на диоде не сравняется и не станет противоположным приложенному напряжению и нейтрализует его, прекращая ток через цепь. Этот процесс происходит почти мгновенно и приводит к тому, что ток практически не течет по цепи, когда на диод подается напряжение в этом направлении. Это известно как p-n переход с обратным смещением. ^[5]

Прямое смещение

Рис. 3. P-n переход с частичным и полным прямым смещением. Обратите внимание, что для коллапса обедненной области требуется минимальное напряжение.

Когда к диоду прикладывается напряжение в противоположном направлении, обедненная область начинает сжиматься (см. рис. 3). В диоде с обратным смещением электроны и дырки будут оттягиваться от перехода, но сценарий с прямым смещением гарантирует, что электроны и дырки будут двигаться к переходу, поскольку они отталкиваются от положительных и отрицательных клемм источника напряжения соответственно. . ^[1] ^[6] При достаточно большом приложенном напряжении и дырки, и электроны преодолеют обедненную область и встретятся вблизи перехода, где они смогут объединиться в непрерывный процесс, замыкая цепь и пропуская ток .

Прямое напряжение и напряжение пробоя

Для преодоления области обеднения требуется минимальное пороговое напряжение, которое для большинства кремниевых диодов составляет 0,7 В. Кроме того, напряжение обратного смещения индуцирует небольшой ток через диод, называемый током утечки, которым можно пренебречь в большинстве случаев. Наконец, достаточно большое обратное напряжение приведет к полному электронному пробою диода и позволит току течь через диод в обратном направлении. ^[1]

Для получения дополнительной информации о диодах см. все о цепях или гиперфизике.

Для дополнительной информации

Для получения дополнительной информации см. соответствующие страницы ниже:

Диод
Постоянный ток
Адаптер переменного тока в постоянный
Фотогальванический элемент
Электрический ток
Или исследуйте случайную страницу!

Каталожные номера

↑ ^1,0 ^1,1 ^{1. 2} Все о цепях. (27 июля 2015 г.). Введение в диоды и выпрямители [онлайн]. Доступно: http://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt-3/introduction-to-diodes-and-rectifiers/
↑ Гиперфизика. (27 июля 2015 г.). P-type Semiconductor [Онлайн]. Доступно: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/dope.html#c4
↑ Гиперфизика. (27 июля 2015 г.). N-type Semiconductor [онлайн]. Доступно: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/dope.html#c3
↑ Гиперфизика. (27 июля 2015 г.). Район истощения [В сети]. Доступно: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/pnjun.html#c2
↑ Гиперфизика. (27 июля 2015 г.). Соединение P-N с обратным смещением [В сети]. Доступно: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/diod.html#c2
↑ Гиперфизика. (27 июля 2015 г.). Перекресток P-N с прямым смещением [в сети]. Доступно: http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/diod.