Часть диода: Диоды: описание, подключение, схема, характеристики

Содержание

PIN-диоды для чайников. Часть 1 / Хабр

PIN-диод представляет собой полупроводниковую структуру, состоящую из сильнолегированных p+ и n+ областей и разделяющего их слаболегированного слоя – слоя собственной проводимости (intrinsic).  Благодаря наличию этого слоя, т.н. «базы», pin-диод является плохим выпрямителем и находит применение в СВЧ-технике. В данной статье рассмотрены аспекты использования pin-диодов в СВЧ-схемах для практических применений, то есть только необходимые разработчику данные, чтобы максимально точно выполнить проектирование. Статья  не претендует на сколько-либо научный труд, а является скорее справочником и сборником разрозненной информации о pin-диодах. Особое внимание уделено особенностям использования pin-диодов на высоком уровне СВЧ-мощности, таких как вопросы пробоя, влияния высокочастотного поля на режим работы диода и проблемы тепловыделения, которые являются ключевыми для разработчика мощных приборов.

Режимы работы pin-диода

Диод открыт

В этом состоянии через него протекает постоянный ток IF, а внешнее воздействие называется прямым смещением.   Зная падение напряжения UDC на диоде (~1 В), необходимо резистором ограничить ток в цепи смещения. Для такого включения диода положительный контакт источника должен быть подключен к аноду диода. В таком состоянии диод представляет собой постоянный резистор RS (~1 Ом) для СВЧ тока. Существует зависимость RS от величины IF и она носит обратно пропорциональный характер, а наличие этой зависимости позволяет использовать диод как электрически управляемый аттенюатор. Область собственной проводимости заполнена носителями заряда, которые имеют некоторое конечное время жизни т. Важно, чтобы период колебаний СВЧ-поля был меньше этого времени, тогда высокочастотное поле не будет влиять на режим работы диода. Также в ряде случаев можно учесть паразитные емкости и индуктивности корпуса или просто индуктивности выводов L диода. Они могут быть либо измерены, либо предоставлены производителем.

Диод закрыт

К аноду приложено отрицательное напряжение, ток через диод не течет, за исключением тока утечки IR (~мкА). Носители заряда в базе отсутствуют. Диод представляет собой плоскопараллельный конденсатор, обкладками которого являются p и n области, а диэлектриком – база. Для СВЧ-поля диод в таком состоянии является емкостью, то есть имеет большое реактивное сопротивление, уменьшающееся с ростом частоты и самого значения емкости:

Кроме того, параллельно емкости включен резистор RP (~кОм), который определяет потери СВЧ-энергии. Иногда в литературе этот резистор рассматривают как включенный последовательно емкости, и тогда он имеет величину, примерно равную RS.

При нулевом смещении на диоде в базе присутствует объемный заряд, который рассасывается при увеличении отрицательного напряжения. Тогда же и емкость стремится к своему конечному значению и после некоторого момента перестает зависеть от значения отрицательного напряжения. В зависимости от конструкции диода емкость может достигать «насыщения» как при единицах вольт отрицательного напряжения смещения, так и нескольких нескольких десятках вольт. В отличие от емкости, величина параллельного резистора увеличивается при увеличении обратного напряжения на диоде.

Основные параметры pin-диодов

Общие параметры

  • Толщина базы W, мкм

  • Паразитные параметры корпуса/выводов (обычно учитывают только индуктивность выводов L, нГн). В дальнейшем рассматриваться не будут, так как необходимы на этапе подробного компьютерного моделирования

  • Тепловое сопротивление θ, °С/Вт. Определяет нагрев диода при выделении на нем мощности, как СВЧ, так и мощности цепей управления

  • Максимальная температура кристалла диода

Для открытого состояния

Для закрытого состояния

  • Емкость C, пФ. Типичные значения 0,01 – 1 пФ

  • Максимальное обратное напряжение VB – напряжение пробоя. Определяется типом полупроводника и толщиной базы

  • Обратное сопротивление RP, кОм

Частотные ограничения работы pin-диода

Открытое состояние

Модуляция режима работы диода СВЧ-волной в данном режиме отсутствует, при условии, что рабочая частота превышает критическую частоту, равную

Физически это означает, что носители заряда из-за своей инерционности просто не успевают реагировать на изменение СВЧ-поля. При этом и время жизни зарядов, и время переключения диода из одного состояния в другое превышают период волны. Иногда считают, что частота СВЧ-волны должна превышать величину 10/t.

 Закрытое состояние

 Для данного режима работы диода существуют две критических частоты: снизу

где r и e — параметры базы (релаксационная частота диэлектрика), а сверху — резонансной частотой емкости закрытого диода и индуктивности L выводов.

Тепловое ограничение работы pin-диода

Ключевым моментом работы диода в открытом состоянии является тепловыделение на нем. Мощность, которую необходимо рассеять, складывается из двух составляющих: постоянного тока цепи смещения PDC = UDC x IF и потерь СВЧ-энергии из-за потерь на RS (I2RF x RS). Второе для разных вариантов включения диода в СВЧ-схему рассчитывается по-разному. Эти две составляющие в сумме не должны превышать максимальной рассеиваемой мощности диода и допускать его перегрева. При работе в импульсном режиме необходимо создать такие условия, чтобы диод после прохождения импульса успел остыть за то время, когда импульса нет. Из всех широко применяемых полупроводников худшей теплопроводностью обладает арсенид галлия, поэтому вопрос теплоотвода является одним из ключевых при работе с ним.

Зная тепловое сопротивление диода, можно рассчитать его нагрев исходя из рассеиваемой на нем мощности. Данная температура не должна превышать максимальной для данного типа полупроводника или заданной производителем. Например, для кремния максимальная неразрушающая температура равна примерно 150°С, для карбида кремния – до 500°С. Рассчитана рабочая температура диода может быть так:

где TA – температура окружающей среды или радиатора.

Иногда при работе диода в импульсном режиме используют понятие импульсного теплового сопротивления. Она может быть подставлена в формулу, приведенную выше. Эта характеристика должна быть предоставлена производителем и представлять собой семейство зависимостей θ от времени импульса при различных скважностях. Если такой характеристики нет, то для импульсного режима можно использоваться следующее выражение:

где tИМП – длительность импульса, tПЕР – период повторения импульса, tВР – временная температурная постоянная. Последняя может быть рассчитана как сумма температурных постоянных отдельных слоев (пьедестала, полупроводника, платы и т.п.):

где r – плотность материала, C – удельная теплоемкость (Дж/г×°С), K – теплопроводность (Вт/см×°С), l – толщина слоя, см.

продолжение следует…

Использованная литература

  1. Microsemi corp. The PIN diode circuit designers’ handbook.

  2. Skyworks solution inc. Design with PIN diodes.

  3. О.Г.Вендик, М.Д.Парнес. Антенны с электрическим сканированием (Введение в теорию).

  4. Г.С.Хижа, И.Б.Вендик, Е.А.Серебрякова. СВЧ фазовращатели и переключатели.

  5. Г.Уотсон. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение.

  6. А. В.Вайсблат. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых приборах.

  7. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет. Под редакцией И.В.Мальского и Б.В.Сестрорецкого.

  8. R.Caverly and G.Hiller. Establishing the minimum reverse bias for a p-i-n diode in a high-power switch.

  9. Н.Т.Бова, Ю.Г.Ефремов, В.В.Конин. Микроэлектронные устройства СВЧ.

  10. MA-COM tech. Comparison of Gallium Arsenide and Silicon PIN diodes for High Speed Microwave Switches.

PIN-диоды для чайников. Часть 2 / Хабр

PIN-диод представляет собой полупроводниковую структуру, состоящую из сильнолегированных p+ и n+ областей и разделяющего их слаболегированного слоя – слоя собственной проводимости (intrinsic). Благодаря наличию этого слоя, т.н. «базы», pin-диод является плохим выпрямителем и находит применение в СВЧ-технике. В данной статье рассмотрены аспекты использования pin-диодов в СВЧ-схемах для практических применений, то есть только необходимые разработчику данные, чтобы максимально точно выполнить проектирование. Статья не претендует на сколько-либо научный труд, а является скорее справочником и сборником разрозненной информации о pin-диодах. Особое внимание уделено особенностям использования pin-диодов на высоком уровне СВЧ-мощности, таких как вопросы пробоя, влияния высокочастотного поля на режим работы диода и проблемы тепловыделения, которые являются ключевыми для разработчика мощных приборов.

Первую часть, посвященную общей информации о pin-диодах, можно прочитать тут.

Ограничения по входной СВЧ мощности

Условием стабильной работы диода в открытом состоянии является малое влияния высокочастотного тока на накопленный в базе заряд, то есть на проводимость диода. Суммарный заряд равен

отсюда видно, что необходимо соблюдение условия

В закрытом состоянии критическим является значение напряжения, возникающего на pin-диоде. Оно также складывается из постоянного запирающего напряжения и из пиковой амплитуды СВЧ-поля, которое различно для различных способов включения диода в схему. Надо отметить, что для работы в импульсном режиме надо рассматривать именно пиковое значение  напряжения. Это суммарное значение напряжения не должно превышать пробойного, заявленного производителем или рассчитанного. Например, для кремния пробойным является напряжение 12В на мкм толщины базы, для арсенида галлия около 18 В/мкм. Карбид кремния же, в силу бОльшей ширины запрещенной зоны, обладает примерно в 10 раз бОльшей электрической прочностью.  Именно поэтому можно делать диоды на карбиде кремния с тонкой базой, что увеличивает быстродействие диода.

Идеальным является случай, когда сумма СВЧ-напряжения на диоде и постоянного запирающего напряжения не превышает пробойного при отрицательной полуволне и не превышает 0 при положительной полуволне. Иначе диод будет пробит в первом случае, во втором же возрастают вносимые потери из-за появления проводимости. Это означает, что обратное запирающее напряжение должно быть как минимум равно амплитуде СВЧ-поля, что зачастую невозможно в мощных устройствах. Поэтому разработчики допускают превышение суммарного напряжения над 0 вольт при положительной полуволне, то есть допускают частичное открывание диода. Эта уступка связана с тем, что за время положительного суммарного напряжения на диоде он физически не успеет перейти в проводящее состояние, и база не успевает заполниться носителями заряда. Анализ этого эффекта в литературе освещен мало, поэтому разработчики обычно проводят экспериментальное исследование. Однако существует теоретическая модель, связанная с анализом накопленного в базе заряда, которая определяет минимальное допустимое значение обратного напряжения смещения

Время переключения

Время переключения между состояниями  диода определяется процессами заполнения и рассасывания заряда в области базы. Переключение из открытого в закрытое состояние:

При таком переключении после включения обратного запирающего напряжения в цепи кратковременно протекает обратный ток IR– заряд уходит из базы. Чем сильнее ограничен ток в этой цепи, тем медленнее происходит переключение. Это означает, что время переключения не является собственным свойством диода.

Переключение из закрытого в открытое состояние TRF можно оценить по типичным данным, приведенным ниже. В основном оно зависит от толщины базы. Сам процесс переключения представляет собой наполнение базы носителями заряда.

W, мкм

до 10 мА от

до 50 мА от

до 100 мА от

10 В

100 В

10 В

100 В

10 В

100 В

175

7 мкс

5 мкс

3 мкс

2.5 мкс

2 мкс

1.5 мкс

100

2. 5 мкс

2 мкс

1 мкс

0.8 мкс

0.6 мкс

0.6 мкс

50

0.5 мкс

0.4 мкс

0.3 мкс

0.2 мкс

0.2 мкс

0.1 мкс

Надо отметить, что время переключения TRF обычно меньше, чем TFR. Также необходимо учитывать быстродействие драйвера.

В силу большей подвижности носителей заряда, PIN-диоды на арсениде галлия обладают существенно большим быстродействием по сравнению с кремниевыми.

Варианты включения pin-диода в схему

Последовательный SPST ключ

В закрытом состоянии создает режим стоячей волны в линии.

 Вносимые потери

Рассеиваемая RF мощность*

Максимальный RF ток диода*

Максимальное RF напряжение на диоде*

*) Если схема рассогласована, умножить на коэффициент

для токов и напряжения и на коэффициент в квадратедля мощностей

Параллельный SPST ключ

В закрытом состоянии создает режим бегущей волны в линии.

Вносимые потери

Развязка

Рассеиваемая RF мощность (открытое состояние)*

Рассеиваемая RF мощность (закрытое состояние)*

Максимальный RF ток диода*

Максимальное RF напряжение на диоде*

*) Если схема рассогласована, умножить на коэффициент

для токов и напряжения и на коэффициент в квадратедля мощностей

продолжение следует…

Использованная литература

  1. Microsemi corp. The PIN diode circuit designers’ handbook.

  2. Skyworks solution inc. Design with PIN diodes.

  3. О.Г.Вендик, М.Д.Парнес. Антенны с электрическим сканированием (Введение в теорию).

  4. Г.С.Хижа, И.Б.Вендик, Е.А.Серебрякова. СВЧ фазовращатели и переключатели.

  5. Г.Уотсон. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение.

  6. А.В.Вайсблат. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых приборах.

  7. СВЧ устройства на полупроводниковых диодах. Проектирование и расчет. Под редакцией И.В.Мальского и Б. В.Сестрорецкого.

  8. R.Caverly and G.Hiller. Establishing the minimum reverse bias for a p-i-n diode in a high-power switch.

  9. Н.Т.Бова, Ю.Г.Ефремов, В.В.Конин. Микроэлектронные устройства СВЧ.

  10. MA-COM tech. Comparison of Gallium Arsenide and Silicon PIN diodes for High Speed Microwave Switches.

Диоды, выпрямительный диод, полупроводниковый диод

Показать только в наличии

Allied Electronics & Automation, часть обширного ассортимента диодов RS Group, насчитывающего тысячи компонентов в нескольких категориях. На наши электрические диоды, созданные в соответствии со строгими спецификациями надежных ведущих производителей, включая NTE Electronics, ON Semiconductor и Vishay, можно положиться, независимо от схемы, в которую они встроены.

Независимо от того, являетесь ли вы промышленным покупателем или любителем электроники, выберите один из наших выпрямителей, диодов Шоттки, TVS, стабилитронов и PIN-диодов, а также многие другие, используя нашу функцию поиска в левой части страницы. Все диоды имеют конкурентоспособные цены, доступны с полезным набором вариантов доставки и поддерживаются нашим ведущим в отрасли подходом к обслуживанию клиентов.

Для получения дополнительной информации о диодах — что это такое, их различные типы и области применения, прокрутите вниз, чтобы узнать больше, или посетите наш экспертный центр. Если у вас есть какие-либо вопросы о нашей линейке диодов или продукции Allied Electronics & Automation, которая является частью процесса заказа RS Group, свяжитесь с нами.

Что такое диоды?

Диоды представляют собой электрические компоненты, проводящие электричество в одном направлении. Сопротивление диода высокое на одном конце (анод) и низкое на другом (катод), что гарантирует, что ток будет легко течь к катоду только в том случае, если цепь имеет положительный заряд. Если цепь имеет отрицательный заряд, ток через диод течь не будет.

Этот эффект возникает из-за того, что диоды изготовлены из полупроводниковых материалов, обычно из кремния. Каждая сторона диода спроектирована нечистой (также известной как легированная) — катод с примесью P-типа, который содержит много вакантных электронных позиций, и анод с примесью N-типа, который поставляет свободные электроны.

Это создает электрическое поле между положительно заряженным и отрицательно заряженным переходом между каждой стороной диода, также известным как переход P-N. Эта граница расширяется при отрицательном токе или токе с нулевым напряжением (известном как обратное смещение), чтобы остановить поток электронов, или при положительном токе (прямое смещение) облегчает поток электронов.

Диоды также могут иметь нулевое смещение. Они известны как диоды Шоттки и могут «прислушиваться» к частотам без необходимости в напряжении смещения.

Какие существуют типы диодов?

Диоды являются универсальным компонентом, отчасти потому, что существует так много типов на выбор, предлагающих всевозможные возможности. К ним относятся:

  • Они позволяют току течь в обратном направлении, когда достигается установленное напряжение (напряжение Зенера). Это делает их эффективными при защите от перенапряжения и электростатического разряда.
  • Они создают лазер на стыке диода, когда через компонент проходит определенное количество электрической энергии.
  • Светоизлучающие диоды (СИД) излучают свет при воздействии тока.
  • Диоды Шоттки, также известные как барьерные диоды или диоды с горячей несущей, обеспечивают очень высокую скорость переключения с очень низким падением напряжения при переключении.
  • Эти диоды преобразуют переменный ток (AC) в постоянный ток (DC) с помощью выпрямительного моста.
  • Диоды для подавления переходного напряжения (TVS) (также известные как тиректоры и переходники) защищают цепи от переходных процессов высокого напряжения, таких как скачки напряжения и электростатические разряды.
  • Диоды генератора — Диоды генератора представляют собой обычные диоды, используемые в автомобильных генераторах.
  • 12-вольтовые диоды — Эти диоды специально используются для цепей с 12 единицами потенциала напряжения.
  • Диодные мосты представляют собой устройства из четырех или более диодов в конфигурации мостовой схемы. Это позволяет каждой полярности выхода соответствовать полярности входа.
  • PIN — Эти диоды имеют собственный нелегированный полупроводник между полупроводником P-типа и полупроводником N-типа — P-I-N. Это снижает его потенциал выпрямления, но делает его пригодным для высоковольтных цепей, поскольку он может накапливать большой заряд.
  • Электрические диоды — это другое название обычного диода.
  • Варакторные диоды (также известные как варикапы) обеспечивают переменную емкость, регулируемую напряжением, что обычно требуется в радиочастотных (ВЧ) цепях.
  • Переключающие диоды представляют собой выпрямители, используемые для переключения слабых сигналов до 100 мА.
  • Полупроводниковые диоды — Термин «полупроводниковый диод» используется для обозначения всех диодов с p-n переходом, состоящим из чередующихся легированных полупроводников.

Каковы области применения диодов?

Будучи таким базовым, но важным компонентом, имеющим так много различных вариантов, диоды находят бесчисленное множество применений.

Во-первых, в качестве выпрямителей электрические диоды используются для преобразования переменного тока в постоянный, что полезно в электрических переключателях и в качестве средства предотвращения скачков напряжения, вызывающих повреждение цепей. И из-за их способности выпрямления они также полезны для стабилизации напряжения.

Полупроводниковые диоды также могут изолировать сигналы в источнике питания, демодулируя сигнал в радио, чтобы позволить оборудованию считывать сигналы, содержащиеся в несущей волне. Более того, они используются для создания процессоров, что делает их важной частью большинства вычислительных устройств и бытовой электроники.

Светодиоды также используются в датчиках и в качестве пользовательских интерфейсов в бесчисленном количестве технологий, а лазерные диоды также являются ключевым компонентом любого лазерного оборудования.

Почему стоит выбрать Allied Electronics & Automation, часть RS Group, для ваших диодов?

Какой бы тип диода вы ни искали, компания Allied Electronics & Automation, входящая в линейку высококачественных высокопроизводительных диодов RS Group, может вам помочь. Наши диоды бывают самых разных типов и производятся лидерами отрасли в соответствии с самыми высокими стандартами.

Выбор, ценность и качество являются нашими ключевыми целями при поставке и продаже диодов. Почти столетие мы наладили тесные отношения с производителями, включая Bourns, Littelfuse, Comchip Technology и Diodes Inc. добавьте исключительные возможности к своим электронным схемам и будьте уверены в их работе.

Просмотрите наш ассортимент электрических диодов и ограничьте поиск с помощью фильтров в левой части страницы. Если у вас есть какие-либо вопросы о наших диодах, их возможностях или применении, свяжитесь с нашей командой. Чтобы узнать больше об электрических компонентах в целом, обязательно посетите наш экспертный центр.

Мостовые выпрямители

(576 результатов)

PIN-диоды

(2 результатов)

Выпрямитель и диоды Шоттки

(3303 результатов)

Переключение диодов

(337 результатов)

Диоды ТВС

(Результаты 1963 г.)

Варакторные диоды

(5 результатов)

Стабилитроны

(2614 результатов)

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

HVCA
Диод, Выпрямитель, Вр 1000В, Если 1А, Упак. DO-41, Вф 1.1В, Cs 30А, Ir 1А

Производитель Артикул №: 1N4007

Стандартный номер союзника: 70015973

В наличии:
37752

При заказе:
10025

+1
0,07647 $
/ шт.

+100
0,06951 $
/ шт.

+500
0,06256 $
/ шт.

+1000
0,05561 $
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

HVCA
Диодный выпрямитель, 1 А/400 В, радиальный вывод, клемма со сквозным отверстием, серия 1N4

Производитель Деталь №: 1N4004

Товарный номер союзника: 70015970

В наличии:
34072

+1
0,12 доллара США
/ шт.

+50
0,09 доллара США
/ шт.

+100
0,06 доллара США
/ шт.

+1000
0,05 доллара США
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
Стандартный восстанавливающий выпрямитель, 400 В, 1 А, DO-41, выводы под пайку, серия 1N

Производитель Артикул №: 1N4004

Стандартный номер союзника: 70723010

В наличии:
22287

+1
0,053 доллара США
/ шт.

+50
0,04717 $
/ шт.

+100
0,04611 $
/ шт.

+500
0,04346 $
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
Диод, мостовой выпрямитель, Vr 600 В, если 25 А, однофазная конфигурация, Vf 1,1 В, Tj + 125 град.

Производитель Артикул №: NTE5326

Товарный №: 70215810

В наличии:
357

+1
$7,37
/ шт.

+50
$7.00
/ шт.

+100
$6,70
/ шт.

+250
$6,34
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

HVCA
Диод, выпрямитель, Vr 100В, If 1A, Pkg DO-41, Vf 1.1V, Cs 30A, Ir 1A

Производитель Артикул №: 1N4002

Стандартный номер союзника: 70015968

В наличии:
13079

+1
0,06055 $
/ шт.

+50
0,04664 $
/ шт.

+100
0,04421 доллара США
/ шт.

+500
0,03876 $
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
Диод, выпрямитель, Vr 100 В, если 6 А, конфигурация однофазная, Vf 1,25 В, Tj + 175 град., Cs 400 А

Производитель Артикул №: NTE5812

Товарный №: 70215815

В наличии:
17646

+1
1,15 доллара США
/ шт.

+50
1,10 доллара США
/ шт.

+100
1,05 доллара США
/ шт.

+250
0,92 доллара США
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

HVCA
Диод, Выпрямитель, Vr 600В, If 1А, Упак. DO-41, Vf 1,1В, Cs 30А, Ir 1А

Производитель Деталь №: 1N4005

Товарный №: 70015971

В наличии:
13859

+1
0,06016 $
/ шт.

+50
0,04633 $
/ шт.

+100
0,04392 доллара США
/ шт.

+500
0,03851 $
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

HVCA
Диод, выпрямитель, Vr 50В, If 1A, Pkg DO-41, Vf 1.1V, Cs 30A, Ir 1A

Производитель Артикул №: 1N4001

Стандартный номер союзника: 70015967

В наличии:
12242

+1
0,18672 $
/ шт.

+2
0,18256 $
/ шт.

+5
0,17842 доллара США
/ шт.

+10
0,17013 $
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

HVCA
Диод,Выпрямитель,Стандарт,Vr 400В,Если 3A,Pkg CASE 267-03,Vf 1.2V,Tj +170C,Cs 200A

Производитель Деталь №: 1N5404

Товарный №: 70015976

В наличии:
9530

+1
0,15672 доллара США
/ шт.

+2
0,15407 $
/ шт.

+5
0,14852 доллара США
/ шт.

+10
0,14299 долларов США
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
ВЫПРЯМИТЕЛЬ КРЕМНИЕВЫЙ 50В 1А DO-41 КОРПУС

Производитель Артикул №: 1N4001

Стандартный номер союзника: 70722905

В наличии:
4111

+1
0,0636 доллара США
/ шт.

+50
0,05406 долларов США
/ шт.

+100
0,05279 $
/ шт.

+500
0,05024 доллара США
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

Sensata — Crydom
МОДУЛЬ СИЛОВОЙ ДИОД 60 А, 480 В переменного тока, серия диодов M50

Производитель Деталь №: M5060SB1200

Allied Stk #: 70130646

В наличии:
140

Под заказ:
360

+1
77,95 долларов США
/ шт.

+25
$76,38
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

Диоды Inc
Диод стандартный 1A 1000V 1Vf Сквозное отверстие DO-41 Серия 1N400x

Производитель Деталь №: 1N4007-T

Allied Stk №: 70437189

В наличии:
5120

+1
0,12115 $
/ шт.

+2000
0,10544 доллара США
/ шт.

+5000
0,09367 $
/ шт.

+10000
0,08585 $
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
ВЫПРЯМИТЕЛЬ КРЕМНИЯ 10000 ПРВ 3AMP DO-201AD

Производитель Артикул №: 1N5408

Стандартный номер союзника: 70724145

В наличии:
14358

+1
0,1683 доллара США
/ шт.

+10
0,15315 $
/ шт.

+50
0,14642 доллара США
/ шт.

+100
0,14306 $
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
Мостовой выпрямитель, двухполупериодный, однофазный, 200 В, 25 А, от -55 до 125 °C, сквозное отверстие

Производитель Артикул №: NTE5322

Товарный №: 70215808

В наличии:
402

При заказе:
281

+1
$5,51
/ шт.

+50
$5,24
/ шт.

+100
$5,01
/ шт.

+250
4,74 доллара США
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

ОВКА
Диод,Выпрямитель,Стандарт,Vr 1000В,Если 3A,Pkg CASE 267-03,Vf 1.2V,Tj +170degc

Производитель Деталь №: 1N5408

Товарный №: 70015978

В наличии:
5498

+1
0,57 доллара США
/ шт.

+25
0,52 доллара США
/ шт.

+50
0,50 доллара США
/ шт.

+100
0,43 доллара США
/ шт.

больше

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

Диоды Inc
Переключение диода 150мА 100В 400мВт SOD123

Производитель Деталь №: 1N4148W-7-F

Allied Stk #: 70437191

В наличии:
52200

Минимальное количество:
200

Мульти:
200

+200
0,06358 доллара США
/ шт.

+1000
0,05294 доллара США
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
Диод, выпрямитель, Vr 1000В, если 6А, конфигурация однофазная, Vf 1,3В, Tj +175degc, Cs 400A

Производитель № по каталогу: NTE5817

Товарный номер союзника: 70215816

В наличии:
11530

+1
$3.00
/ шт.

+50
2,85 доллара США
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
Диод, мостовой выпрямитель, Vr 600 В, если 40 А, однофазная конфигурация, Vf 1,2 В, Tj +175 град.

Производитель Артикул №: NTE5342

Товарный №: 70215943

В наличии:
453

+1
$13,86
/ шт.

+50
$13,18
/ шт.

+100
$12,61
/ шт.

+250
$11,91
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

Производство твердотельных материалов
Диодный мостовой выпрямитель 1кВ 35A Терминал быстрого подключения, серия KBPC

Производитель Артикул №: KBPC3510

Товарный №: 70348165

В наличии:
1238

+1
2,82 доллара США
/ шт.

+50
2,56 доллара США
/ шт.

+100
2,31 доллара США
/ шт.

+200
2,12 доллара США
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Вы можете сравнить не более 5 предметов.

NTE Electronics, Inc.
Диод, мостовой выпрямитель, Vr 1000 В, если 40 А, однофазная конфигурация, Vf 1,2 В, Tj + 175 град.

Производитель Деталь №: NTE5344

Товарный номер союзника: 70215950

В наличии:
20

+1
16,24 доллара США
/ шт.

+50
15,42 доллара США
/ шт.

+100
$14,78
/ шт.

+250
$13,97
/ шт.

0 сейчас в корзине

Ошибка при обновлении корзины

Показано 20
из 8796 результатов

Коды нумерации транзисторов и диодов » Примечания по электронике

Pro-Electron, JEDEC и JIS — это отраслевые схемы нумерации полупроводниковых устройств: диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов — они позволяют получать устройства от разных производителей.


Учебное пособие по транзисторам Включает:
Основы транзисторов
Усиление: Hfe, hfe и бета
Характеристики транзистора
Коды нумерации транзисторов и диодов
Выбор транзисторов на замену


Существуют тысячи различных типов диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Эти полупроводниковые устройства имеют разные характеристики в зависимости от того, как они спроектированы и изготовлены.

В результате важно, чтобы разные полупроводниковые устройства имели разные номера деталей, чтобы отличать их друг от друга.

Транзистор BC547 — BC в номере детали указывает на то, что это кремниевый транзистор малой мощности звуковой частоты

. Первоначально производители должны были давать устройствам свои собственные номера, но вскоре для полупроводниковых устройств, включая диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы, стали использоваться стандартные схемы нумерации. JFET и MOSFET.

Наличие отраслевых стандартных схем нумерации полупроводниковых устройств имеет много преимуществ не только для крупных производителей электронного оборудования, но и для любителей и студентов.

Несмотря на то, что в наши дни существуют стандартные системы нумерации, на рынке существует множество специализированных транзисторов и других полупроводниковых устройств, и на них часто указываются индивидуальные номера деталей производителя. К счастью, многие из них легко идентифицировать как устройства конкретных производителей.

Кроме того, с появлением Интернета можно легко найти спецификации и другие сведения о транзисторах и многих других электронных компонентах, а также просмотреть их полные спецификации. Несмотря на это, по-прежнему очень удобно понимать схемы нумерации транзисторов, из которых легко и быстро понять их общие характеристики.

Схемы нумерации/кодирования полупроводниковых приборов

Существует множество различных способов организации схемы нумерации. На заре производства термоэлектронных клапанов (вакуумных трубок) каждый производитель давал номер производимым ими типам. Таким образом, существовало огромное количество различных номеров для устройств, многие из которых были практически идентичными. Вскоре стало очевидно, что необходим более структурированный подход, чтобы одно и то же устройство можно было купить независимо от производителя.

То же самое относится и к полупроводниковым приборам, и для диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов используются независимые от производителя схемы нумерации. На самом деле используется несколько схем нумерации полупроводников:

.

  1. Схема нумерации Pro-electron Эта схема нумерации диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов была разработана в Европе и широко используется для транзисторов, разработанных и изготовленных здесь.
  2. Схема нумерации JEDEC   Эта схема нумерации диодов и транзисторов была разработана в США и широко используется для диодов и транзисторов, произведенных в Северной Америке.
  3. Схема нумерации JIS   Эта система нумерации полупроводниковых устройств была разработана в Японии, и ее можно увидеть на диодах, транзисторах и полевых транзисторах, произведенных в Японии.
  4. Собственные схемы производителей:   Существуют некоторые устройства, особенно специализированные биполярные транзисторы и некоторые полевые транзисторы, для которых отдельные производители могут пожелать сохранить все права на производство. Они могут не захотеть открывать спецификации и методы производства для других, если они используют технологию, которую они разработали. В этих и подобных случаях производители будут использовать свои собственные схемы нумерации деталей, которые не соответствуют схемам отраслевых стандартов 9.0026

Цель стандартных отраслевых схем нумерации состоит в том, чтобы обеспечить идентификацию и описание электронных компонентов и, в данном случае, полупроводниковых устройств, включая диоды, биполярные транзисторы и полевые транзисторы, чтобы иметь общие электронные компоненты и нумерацию компонентов у нескольких производителей. Для этого производители регистрируют определение новых электронных компонентов в соответствующем органе, а затем получают новый номер детали.

Этот подход позволяет компаниям-производителям электронного оборудования иметь вторичные источники своих компонентов и, таким образом, обеспечивать поставку для крупномасштабного производства, а также снижать последствия устаревания.

В той или иной степени эти схемы нумерации позволяют дать широкое описание функции диода, транзистора или полевого транзистора. Схема Pro-Electron предоставляет гораздо больше информации, чем другие.

Система нумерации Pro-Electron или EECA

Схема нумерации Pro-Electron для обеспечения стандартизированной схемы нумерации полупроводников, в частности диодов, транзисторов и полевых транзисторов, была создана в 1966 году на встрече в Брюсселе, Бельгия.

Схема нумерации полупроводниковых диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов была основана на формате системы, разработанной Маллардом и Филипсом для нумерации термоэлектронных ламп или электронных ламп, которая существовала с начала 1930-х годов. В нем первая буква обозначала напряжение и ток нагревателя, вторая и последующие буквы обозначали отдельные функции внутри стеклянной оболочки, а остальные цифры обозначали основу клапана и серийный номер типа.

Схема Pro-Electron взяла это и использовала буквы, которые редко использовались в описаниях нагревателей, для обозначения типа полупроводника, а затем использовала вторую букву для определения функции. Существовало сходство между обозначениями клапанов/трубок и обозначениями, используемыми для полупроводниковых устройств. Например, «А» использовался для диода и т. д.

Схема широко использовалась, и в 1983 году управление ею перешло к Европейской ассоциации производителей электронных компонентов (ВЕЦА).

Первая буква

  • А = Германий
  • В = Кремний
  • C = арсенид галлия
  • R = комбинированные материалы

Второе письмо

  • A = Диод — маломощный или сигнальный
  • B = Диод — переменная емкость
  • C = Транзистор — звуковая частота, малой мощности
  • D = Транзистор — звуковая частота, мощность
  • E = Туннельный диод
  • F = Транзистор — высокая частота, малая мощность
  • G = Прочие устройства
  • H = Диод — чувствительный к магнетизму
  • L = Транзистор — высокая частота, мощность
  • N = Оптопара
  • P = Детектор света
  • Q = Излучатель света
  • R = Коммутационное устройство малой мощности, напр. тиристор, диак, однопереходный
  • S = Транзистор — коммутация малой мощности
  • T = Коммутационное устройство малой мощности, напр. тиристор, симистор
  • U = Транзистор — переключающий, силовой
  • W = Устройство поверхностных акустических волн
  • X = Диодный множитель
  • Y = диодное выпрямление
  • Z = диод — опорное напряжение

Последующие символы

Символы, следующие за первыми двумя буквами, образуют серийный номер устройства. Те, которые предназначены для бытового использования, имеют три цифры, но те, которые предназначены для коммерческого или промышленного использования, имеют букву, за которой следуют две цифры, т. Е. A10 — Z9.9.

Суффикс

В некоторых случаях может быть добавлена ​​суффиксная буква:

  • A = низкое усиление
  • B = среднее усиление
  • C = высокий коэффициент усиления
  • Без суффикса = усиление неклассифицировано

Это полезно как для производителей, так и для пользователей, потому что при производстве транзисторов существует большой разброс уровней усиления. Затем их можно разделить на группы и пометить в соответствии с их усилением.

Используя схему нумерации, видно, что транзистор с номером детали BC107 представляет собой кремниевый аудиотранзистор малой мощности, а BBY10 — кремниевый диод переменной емкости для промышленного или коммерческого использования. Например, BC109C представляет собой кремниевый маломощный аудиотранзистор с высоким коэффициентом усиления

.

Система нумерации или кодирования JEDEC

JEDEC, Объединенный технический совет по электронным устройствам, является независимой отраслевой организацией по торговле полупроводниковыми технологиями и органом по стандартизации. Он обеспечивает множество функций, одной из которых является стандартизация полупроводников, а в данном случае нумерация диодов, биполярных транзисторов и полевых транзисторов.

Самые ранние истоки JEDEC можно проследить до 1924 года, когда была создана Ассоциация производителей радиооборудования — много лет спустя она стала Ассоциацией электронной промышленности, EIA. В 1944 году Ассоциация производителей радиоприемников и Национальная ассоциация производителей электроники создали орган под названием Объединенный технический совет по электронным лампам, JETEC. Это было создано с целью присвоения и согласования типовых номеров электронных ламп (термоэлектронных клапанов).

С ростом использования полупроводниковых устройств сфера деятельности JETEC была расширена, и в 1919 году она была переименована в JEDEC, Объединенный технический совет по электронным устройствам.58.

Первоначальная нумерация полупроводниковых приборов соответствовала широким очертаниям разработанной схемы нумерации трубок ламп: «1» означало «Без нити накала / нагревателя», а «N» означало «Кварцевый выпрямитель».

Первая цифра нумерации полупроводниковых устройств была изменена с обозначения отсутствия нити на нить на количество PN-переходов в полупроводниковом устройстве, а система нумерации была описана в EIA/JEDEC EIA-370.

  • Первый номер =
    • 1 = Диод
    • 2 = Биполярный транзистор или полевой транзистор с одним затвором
    • 3 = полевой транзистор с двойным затвором

    Число соответствует количеству переходов, хотя для МОП-транзисторов это нужно немного интерпретировать.

  • Вторая буква = N
  • Последующие цифры = серийный номер

Таким образом, устройство с кодом нумерации 1N4148 является диодом, а 2N706 — биполярным транзистором.

Иногда к номеру детали добавляются дополнительные буквы, которые часто относятся к производителю. M означает, что производителем является Motorola, а TI означает Texas Instruments, хотя буква A, добавленная к номеру детали, часто означает пересмотр спецификации, например. Транзисторы 2N2222A широко доступны, и это обновленная версия 2N2222. Интерпретация этих чисел иногда требует некоторых базовых знаний.

Схема нумерации полупроводниковых устройств

JIS

Японские промышленные стандарты, схема нумерации деталей JIS для полупроводниковых устройств стандартизирована в соответствии с JIS-C-7012.

В этой схеме используется номер типа, состоящий из числа, за которым следуют два символа, за которыми следует серийный номер.

Первый номер

Первое число указывает количество переходов в полупроводниковом устройстве.

  • 1 = Диод
  • 2 = Биполярный транзистор или полевой транзистор с одним затвором
  • 3 = полевой транзистор с двойным затвором

Буквы в позициях 2 и 3

  • SA = высокочастотный биполярный транзистор PNP
  • SB = биполярный транзистор звуковой частоты PNP
  • SC = высокочастотный биполярный транзистор NPN
  • SD = биполярный транзистор звуковой частоты NPN
  • SE = диоды
  • SF = Тиристор (SCR)
  • SG = устройства Gunn
  • SH = UJT (однопереходный транзистор)
  • SJ = P-канальный JFET / MOSFET
  • SK = N-канальный JFET / MOSFET
  • СМ = симистор
  • SQ = светодиод
  • SR = Выпрямитель
  • SS = сигнальный диод
  • ST = лавинный диод
  • SV = Варакторный диод / варикопный диод
  • SZ = стабилитрон / диод опорного напряжения

Серийный номер

Серийный номер следует за первой цифрой и двумя буквами типа полупроводникового устройства. Цифры между 10 и 9999.

Суффикс

После серийного номера может использоваться суффикс, указывающий на то, что устройство было одобрено, т. е. существует гарантия того, что оно было изготовлено в правильных условиях для производства требуемого полупроводникового устройства.

Номера производителей

Несмотря на то, что существуют отраслевые организации для создания номеров устройств, некоторые производители хотели производить устройства, уникальные для них. В некоторых областях это обеспечило бы устройству уникальную торговую точку, которую другие производители не смогли бы скопировать.

Эти номера полупроводниковых устройств уникальны для производителя, поэтому их можно использовать для идентификации источника.

Ниже приведены некоторые распространенные примеры:

  • МДж = мощность Motorola, металлический корпус
  • MJE = питание Motorola, пластиковый корпус
  • MPS = Motorola малой мощности, пластиковый корпус
  • MRF = радиочастотный транзистор Motorola
  • СОВЕТ = силовой транзистор Texas Instruments (пластиковый корпус)
  • TIPL = планарный силовой транзистор TI
  • TIS = маломощный сигнальный транзистор TI (пластиковый корпус)
  • ZT = Ферранти
  • ZTX = Ферранти

Система нумерации или кодирования транзисторов и диодов Pro-electron предоставляет больше информации об устройстве, чем система JEDEC.


Опубликовано

в

от

Метки:

Комментарии

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *