Основное свойство p n перехода это: Свойства p-n-перехода. Полупроводниковый диод. Принцип действия транзистора.

Свойства p-n-перехода. Полупроводниковый диод. Принцип действия транзистора.

Основные ссылки

CSS adjustments for Marinelli theme

Объединение учителей Санкт-Петербурга

Форма поиска

Поиск

Вы здесь

Главная » Свойства p-n-перехода. Полупроводниковый диод….

Свойства  p—n-перехода.
Примесные полупроводники
Донорная примесь: основные носители заряда — свободные электроны. Остается положительный ион примеси.  Акцепторная примесь: основные носители заряда—дырки. Остается отрицательный ион примеси. В месте контактадонорного и акцепторного полупроводников возникает электронно-дырочный переход (p-n-переход).
Свойства р-п-перехода 1. Образуется запирающий слой, образованный зарядами ионов примеси: d=10-7 м,  Dj = 0.4—0,8 В.
2.  Направление внешнего поля (источника) совпадает с направлением контактного поля. Тока основных носителей заряда нет. Существует слабый токнеосновных носителей заряда. Такое включение называется обратным.
3. Прямое включение. Существует ток основных носителей заряда. p-n-переход пропускает электрический ток только в одном направлении (свойство односторонней проводимости).
Полупроводниковый диод Схематическое изображение. Направление стрелки указывает направление тока.
Устройство диода.
Вольтамперная характеристика полупроводникового диода. /, 2 — участок приближенно прямолинеен -экспонента; 3 — пробой диода 0,3— обратный ток; 0,1— ток меняется нелинейно.  Обратный ток обусловлен наличием неосновных носителей заряда.
Применение полупроводникового диода Выпрямитель тока
Принцип действия транзистора
Условное обозначение Направление стрелки — направление тока На всех рисунках —  p-n-p— транзисторы.
Устройство биполярного транзистора. Основные применения: элемент усилетеля тока, напряжения или мощности; электронный ключ (например, в генераторе электромагнитных колебаний).
Переход эмиттер — база включается в прямом направлении, а база — коллектор — в обратном. Через эмиттерный переход идет большое количество основных носителей заряда.  База очень тонкая. Концентрация основных носителей заряда в базе небольная. Поэтому рекомбинация электронов и дырок небольшая. Ток базы маленький. Заряды, пришедшие из эмиттера, по отношению к базе являютсянеосновными, поэтому они свободно проходят через коллекторный переход. До 95% дырок, попадающих из эмиттера в базу, проходят в коллектор. Т.е. Iэ ≈ Iб. При изменении Iэ с помощью источника переменного напря­жения одновременно почти во столько же раз изменяется Iк.  Т.к. сопротивление коллекторного перехода во много раз превышает сопротивление эмиттерного, то при практически равных токах, напряжение на эмиттере много меньше напряжения на коллекторе.

Теги: 

конспект

Факультативный курс физики. 9 кл.

Факультативный курс физики. 9 кл.

Кабардин О. Ф. и др. Факультативный курс физики. 9 кл. Пособие для учащихся. Изд. 2-е, перераб. М., «Просвещение», 1978. — 207 с. Книга состоит из 5 глав: «Строение и превращения вещества», «Термодинамика», «Электрическое поле и электрический ток», «Магнетизм», «Физический практикум». В них содержится теоретический материал в соответствии с программой факультативного курса физики 9 класса, задачи с примерами их решения и описания лабораторных работ. Оглавление МОЛЕКУЛЯРНАЯ ФИЗИКА § 2. ЧИСЛО АВОГАДРО § 3. ИДЕАЛЬНЫЙ ГАЗ § 4. ДАВЛЕНИЕ ИДЕАЛЬНОГО ГАЗА § 5. ГАЗОВЫЙ ТЕРМОМЕТР § 6. ТЕМПЕРАТУРА КАК МЕРА СРЕДНЕЙ КИНЕТИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ МОЛЕКУЛ § 7. УРАВНЕНИЕ СОСТОЯНИЯ ИДЕАЛЬНОГО ГАЗА § 8. РЕАЛЬНЫЕ ГАЗЫ § 9. СРЕДНЯЯ ДЛИНА СВОБОДНОГО ПРОБЕГА § 10. ДИФФУЗИЯ И БРОУНОВСКОЕ ДВИЖЕНИЕ § 11. СЖИЖЕНИЕ ГАЗОВ § 12. ОБЛАКА И ОСАДКИ § 13. ЗАВИСИМОСТЬ АГРЕГАТНОГО СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ И ДАВЛЕНИЯ § 14. СТРОЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ § 15. ПРОЦЕССЫ РОСТА КРИСТАЛЛОВ § 16. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ § 17. ПРИМЕНЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛ § 18. КРИСТАЛЛЫ И ЖИЗНЬ Глава 2. ТЕРМОДИНАМИКА § 19. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЙ МЕТОД § 20. РАБОТА И КОЛИЧЕСТВО ТЕПЛОТЫ В ТЕРМОДИНАМИКЕ § 21. ТЕПЛОЕМКОСТЬ ГАЗОВ § 22. ТЕПЛОЕМКОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ И ЖИДКОСТЕЙ § 23. ПОТРЕБЛЕНИЕ ЭНЕРГИИ § 24. ТЕПЛОВЫЕ ДВИГАТЕЛИ § 25. РАБОЧИЙ ЦИКЛ ТЕПЛОВОГО ДВИГАТЕЛЯ § 26. КПД ТЕПЛОВОГО ДВИГАТЕЛЯ § 27. ПАРОВАЯ МАШИНА § 28. ДВИГАТЕЛЬ ВНУТРЕННЕГО СГОРАНИЯ § 29. ПАРОВАЯ И ГАЗОВАЯ ТУРБИНЫ § 30. РЕАКТИВНЫЕ ДВИГАТЕЛИ § 31. ПРАКТИКУМ ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ ЗАДАЧИ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОГО РЕШЕНИЯ ТЕРМОДИНАМИКА § 32. ЛАБОРАТОРНЫЕ И ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАДАНИЯ ЭЛЕКТРОДИНАМИКА Глава 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК § 34. ПОТЕНЦИАЛ § 35. ДИЭЛЕКТРИКИ И ПРОВОДНИКИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ § 36. СВОЙСТВА p-n-ПЕРЕХОДА § 37. ТРАНЗИСТОР Глава 4. МАГНЕТИЗМ § 38. МАГНИТНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДВИЖУЩИХСЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЗАРЯДОВ § 39. МАГНИТНОЕ ПОЛЕ § 40. МАГНИТНОЕ ПОЛЕ ДВИЖУЩЕГОСЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЗАРЯДА § 41. МАГНИТНОЕ ПОЛЕ ТОКА В ВАКУУМЕ § 42. ДЕЙСТВИЕ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ДВИЖУЩИЕСЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЗАРЯДЫ § 43. МАГНИТНАЯ ПОСТОЯННАЯ ВАКУУМА § 44. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ГЕНЕРАТОРЫ § 45. ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ ПОЛЕ § 46. ПРАКТИКУМ ПО РЕШЕНИЮ ЗАДАЧ ЗАДАЧИ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОГО РЕШЕНИЯ § 47. ЛАБОРАТОРНЫЕ И ПРАКТИЧЕСКИЕ ЗАДАНИЯ Глава 5. ФИЗИЧЕСНИЙ ПРАКТИКУМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ МОЛЯРНОЙ МАССЫ ГАЗА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ СКОРОСТИ РОСТА КРИСТАЛЛОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТВЕРДОСТИ СТАЛИ ДО И ПОСЛЕ ЗАКАЛКИ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ХОЛОДИЛЬНИКА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 6. ПОВЕРКА ЭЛЕКТРОИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ ПРИБОРОВ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 7. ИЗУЧЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ОСЦИЛЛОГРАФА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 8. РАСЧЕТ И ИСПЫТАНИЕ СХЕМЫ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ С ФОТОРЕЗИСТОРОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 9. ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА ПО ТОКУ В СХЕМЕ С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 10. ИЗМЕРЕНИЕ МАГНИТНОГО ПОТОКА ПОСТОЯННОГО МАГНИТА ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 11. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ИНДУКЦИИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ ЗЕМЛИ ОТВЕТЫ К ЗАДАЧАМ

График, Принцип работы, Свойства, Использование

Полупроводниковое устройство с двумя контактами или двумя электродами, которое позволяет электрическому току течь только в одном направлении, блокируя электрический ток в противоположном или обратном направлении, известно как PN-переход. диод. Это устройство имеет прямое смещение, позволяющее протекать электрическому току. С другой стороны, в условиях обратного смещения он блокирует прохождение электрического тока.

Диод представляет собой полупроводниковое устройство, которое работает как «токовый односторонний переключатель». Он позволяет току свободно течь в одном направлении, но значительно ограничивает ток в другом. Диоды могут преобразовывать переменный ток (ac) в пульсирующий постоянный ток (dc). Следовательно, они также известны как выпрямители (постоянного тока). Диоды классифицируются по типу, напряжению и способности пропускать ток по-своему. Каждый тип имеет различное применение в зависимости от его функционирования.

В этой статье мы узнаем об определении, графике, символе, принципе работы, условиях смещения, свойствах и применении PN-переходного диода, а также о разнице между стабилитроном и PN-переходными диодами

PN-переходный диод

Интерфейс или граница внутри полупроводникового устройства между полупроводниковым материалом P-типа и N-типа называется PN-переходом. P-сторона или положительная сторона полупроводника содержит больше дырок, чем N-сторона или отрицательная сторона, на которой больше электронов. PN-переход в полупроводнике создается в процессе легирования. Диод с PN-переходом представляет собой полупроводниковое устройство, которое формируется с помощью этого метода и используется для обеспечения протекания электрического тока в одном направлении и блокировки в противоположном.

Символ

Символ диода PN-перехода изображается в виде треугольника, направленного к прямой или проходящего через одну вершину. Такое расположение показывает направление протекания тока в цепи от положительного вывода анода к отрицательному выводу катода.

Давайте сначала обсудим процесс легирования, чтобы лучше понять принцип работы диода с PN-переходом.

Метод, используемый для увеличения или уменьшения количества дырок и электронов в полупроводнике, известен как легирование

Для изготовления полупроводникового материала N-типа используются атомы с одним дополнительным валентным электроном, чем у кремния. Для этого используются элементы из V группы таблицы Менделеева. Эти элементы имеют 5 валентных электронов, из которых 4 участвуют в образовании ковалентной связи с кремнием, а дополнительный валентный электрон остается несвязанным. В результате в зону проводимости вводится больше электронов, что увеличивает общее количество электронов в системе.

Элементы из 3-й группы периодической таблицы смешиваются для создания полупроводника P-типа. В результате материалы P-типа имеют только три валентных электрона для взаимодействия с атомами кремния. Общий эффект представляет собой дыру, поскольку электронов недостаточно для создания четырех ковалентных связей, окружающих атомы и ядра. Количество электронов, захваченных связями, больше в материалах P-типа, что увеличивает количество дырок. В легированном материале всегда больше одного типа носителя, чем другого, и носитель с большей концентрацией называется «основным носителем», а носитель с меньшей концентрацией называется «неосновным носителем». Когда эти два типа полупроводников соединяются вместе, образуется диод с PN-переходом.

Принцип работы диода с PN-переходом

В диоде с PN-переходом ионизированный донор остается на N-стороне, когда электрон диффундирует с N-стороны на P-сторону, и на его стороне образуется слой положительного заряда. N-сторона перекрестка. Когда дырка перемещается со стороны P на сторону N, ионизированный акцептор остается на стороне P, вызывая накопление слоя отрицательных зарядов на стороне P перехода. Зона истощения определяется как область положительного и отрицательного заряда на каждой стороне соединения. По обе стороны от перехода возникает электрическое поле с направлением от положительного заряда к отрицательному.

Электрический потенциал между P- и N-областями изменяется при подаче внешнего потенциала на клеммы PN-перехода. В результате поток большинства носителей изменяется, позволяя электронам и дыркам диффундировать через PN-переход.

Считается, что диод находится в состоянии прямого смещения, если приложенное напряжение уменьшает ширину обедненного слоя, и обратного смещения, если приложенное напряжение увеличивает ширину обедненного слоя. Говорят, что диод находится в состоянии нулевого смещения или в несмещенном состоянии, если ширина обедненного слоя остается неизменной.

Условия прямого и обратного смещения PN-перехода Диод

Давайте подробно разберем принцип работы условий прямого и обратного смещения PN-перехода.

Прямое смещение

PN-переход смещен в прямом направлении, когда P-тип подключен к положительной клемме батареи, а N-тип подключен к отрицательной клемме. В этом состоянии приложенное электрическое поле и встроенное электрическое поле в PN-переходе имеют противоположные направления.

Сложение обоих электрических полей дает результирующее электрическое поле, поэтому результирующее электрическое поле оказывается меньше, чем встроенное электрическое поле. В результате зона истощения становится тоньше и менее устойчивой. При высоком приложенном напряжении сопротивление области обеднения становится незначительным. При 0,6 В сопротивление зоны обеднения в кремнии становится совершенно незначительным, позволяя току свободно течь по ней.

Обратное смещение

PN-переход имеет обратное смещение, когда P-тип подключен к отрицательной клемме батареи, а N-тип подключен к положительной стороне. В этом состоянии приложенное электрическое поле и встроенное электрическое поле имеют одинаковое направление. Результирующее электрическое поле и встроенное электрическое поле также имеют одинаковое направление, что приводит к более резистивной и более толстой области истощения. Увеличение приложенного напряжения приводит к образованию более толстой и устойчивой области истощения.

V-I Характеристики PN-перехода

Соотношение между напряжением на переходе и током в цепи известно как вольт-амперная (V-I) характеристика PN-перехода или полупроводникового диода. Обычно напряжение измеряется по оси x, тогда как ток измеряется по оси y.

V-I характеристики PN перехода можно объяснить в трех случаях:

• Нулевое смещение или несмещенное
• Прямое смещение
• Обратное смещение

В состоянии нулевого смещения не происходит движения дырок или электронов, так как внешний потенциал не приложен, что препятствует прохождению электрического тока через диод.

Когда диод PN-перехода находится в прямом смещении, P-тип подключается к положительной клемме внешнего напряжения, а N-тип подключается к отрицательной клемме. Такое расположение диодов снижает потенциальный барьер. При напряжении 0,7 В для кремниевых диодов и 0,3 В для германиевых диодов потенциальные барьеры уменьшаются и протекает ток.

Ток медленно растет, пока диод находится в прямом смещении, а формируемая кривая нелинейна, поскольку напряжение, подаваемое на диод, превышает потенциальный барьер. Как только диод преодолевает потенциальный барьер, он работает нормально, и кривая резко возрастает по мере увеличения внешнего напряжения, что дает линейную кривую.

Когда диод PN-перехода находится в отрицательном смещении, P-тип подключается к отрицательной клемме внешнего напряжения, а N-тип подключается к положительной клемме, что приводит к более высокому потенциальному барьеру. Поскольку в переходе присутствуют неосновные носители, сначала возникает обратный ток насыщения.

Разница между PN-диодом и стабилитроном

Различия между PN-переходным диодом и стабилитроном следующие:

PN-переходной диод 91
Ток течет в только в одном направлении	Ток может течь в обоих направлениях
Обедненный слой PN-перехода полностью повреждается при обратном смещении	В стабилитроне ток течет в обоих направлениях даже в состоянии обратного смещения
Область PN слегка легирована в диоде с PN-переходом, что делает обедненную область шире.	Область обеднения в стабилитроне уже, поскольку PN-переход сильно легирован.
Основное применение диода с PN-переходом — процесс выпрямления.	Стабилитроны в основном используются для регулирования напряжения.

Свойства диода с PN-переходом

Ниже приведены некоторые общие свойства диода с PN-переходом:

• Диод с PN-переходом способен выпрямлять электрический ток
• Он может создавать потенциальный барьер и использовать свои емкостные свойства
• PN-переход создает различные нелинейные вольт-амперные характеристики в полупроводниковом диоде
• Наиболее важным свойством является преобразование световой энергии в электрическую
• Диод с PN-переходом излучает, когда через него протекает ток.

Применение PN-диода

Ниже приведены некоторые из наиболее интересных применений PN-диодов.

• PN-диод используется в качестве тройного, удвоителя напряжения и учетверения в схемах умножителя напряжения, а также в качестве переключателя в различных электрических цепях.
• Они используются в многочисленных выпрямителях и варикапах для генераторов, управляемых напряжением.
• В то время как диод с PN-переходом излучает свет при смещении тока, поэтому он используется в светоизлучающих диодах (LED) и фотодиодах.
• Диоды с PN-переходом также можно использовать для другого диода, называемого излучением, стимулируемым усилением света.
• В силовой электронике может использоваться в солнечных батареях.
• Применяется как в детекторе, так и в схеме демодулятора, поэтому его можно использовать в качестве детектора для схемы демодуляции.
• Используются в качестве зажимов для регулировки опорного напряжения.
• Напряжение на диоде PN-перехода используется для создания датчиков температуры и опорных напряжений.

Вы можете найти больше таких замечательных учебных материалов и по другим темам физики. Получите помощь от экспертов в подготовке к экзаменам с помощью избранных учебных материалов, пробных тестов и ценных советов, которые помогут вам получить более высокие оценки на экзамене. Загрузите бесплатное приложение Testbook, чтобы получить эксклюзивные предложения прямо сейчас.

Часто задаваемые вопросы о переходном диоде PN

В.1 Какова основная функция диода PN?

Ans.1 Основная функция диода PN-перехода в электрической цепи – пропускать электрический ток только в одном направлении и ограничивать его в другом.

Q.2 Как формируется диод с PN-переходом?

Ans.2 Диод с PN-переходом образуется путем соединения полупроводников P-типа и N-типа, где область P-типа содержит больше дырок, а область N-типа содержит большее количество электронов.

В.3 Каковы характеристики диода с P-N переходом?

Ans. 3 Диод с PN-переходом пропускает ток только в одном направлении. Его характеристики также могут быть описаны в виде кривой V-I в условиях нулевого, прямого и обратного смещения.

В.4 Сколько существует типов диодов с PN-переходом?

Ans.4 В основном существует четыре типа диодов с PN-переходом: светоизлучающие диоды, стабилитроны, фотодиоды и солнечные элементы

?

Ans.5 Соотношение между напряжением на переходе и током в цепи известно как вольт-амперная (ВА) характеристика PN-перехода или полупроводникового диода. Здесь напряжение измеряется по оси x, тогда как ток измеряется по оси y. Считается, что диод находится в состоянии прямого смещения, если приложенное напряжение уменьшает ширину обедненного слоя, и обратного смещения, если приложенное напряжение увеличивает ширину обедненного слоя. Он находится в состоянии нулевого смещения, если ширина обедненного слоя не меняется.

Скачать публикацию в формате PDF

Читать больше сообщений

Заземление: определение, типы, схемы и значение Схемы
Химические эффекты электрического тока: определение, применение и использование
Типы двигателей постоянного тока: изучите различные типы двигателей постоянного тока и их применение

Свойства PN-перехода при прямом смещении

Полупроводники — это материалы, проводимость которых находится между проводником (металлами) и непроводником или изолятором.

Полупроводники могут быть чистыми элементами, включая кремний или германий, или, может быть, некоторыми другими соединениями, включая сплавы, такие как арсенид галлия или селенид кадмия.

Полупроводники, у которых больше отрицательных носителей заряда, чем положительных, включают полупроводники N-типа. Полупроводники, имеющие большое количество носителей заряда в виде дырок, относятся к полупроводникам P-типа.

Есть две зоны — зона проводимости и валентная зона. В зонах проводимости на самой внутренней оболочке находятся электроны, которые могут принимать участие в процессе проводимости. В валентной зоне электроны присутствуют на самой внешней оболочке или присутствуют валентные электроны.

В собственных и полупроводниках (чистый кремний) небольшая часть валентных электронов способна достичь зоны проводимости. Достигнув зоны проводимости, эти небольшие количества валентных электронов могут резко изменить свойства проводимости полупроводника.

PN-переход означает

PN-переход — это граница между двумя типами полупроводниковых материалов (один — n-типа, а другой — p-типа). Сторона P представляет собой положительную сторону и имеет избыток дырок, тогда как сторона n представляет отрицательную сторону с избытком электронов.

Формирование PN-перехода

PN-переход — это основное полупроводниковое устройство. Когда сторона P-типа соприкасается со стороной N-типа, образуя единое целое, полученная сборка называется переходным диодом.

Разность потенциалов, возникающая на переходе из-за миграции большинства носителей заряда (положительных или отрицательных), называется потенциальным барьером.

PN-переход с прямым смещением

Когда внешний источник постоянного тока подключен к диоду-переходнику, секция P подключена к положительному полюсу, а секция N к отрицательному полюсу, говорят, что диод-переходник смещен в прямом направлении. .

PN-переход с обратным смещением

Говорят, что PN-переход имеет обратное смещение, когда положительная клемма внешней батареи в цепи подключена к секции N, а отрицательная клемма подключена к секции P.

Поток неосновных носителей через переход от обеих секций переходного диода отвечает за обратный ток.

Характеристики диода с PN-переходом при прямом смещении

• Когда положительная клемма или конец внешней батареи подключены к положительному полюсу или положительной стороне, а отрицательная клемма подключена к отрицательному полюсу или отрицательной стороне, тогда разность потенциалов противоположна барьерному потенциалу.
• Когда PN-переход смещен в прямом направлении, приложенный положительный потенциал отталкивает дырки в P-области или положительной области, а приложенный отрицательный потенциал отталкивает электрон в отрицательной области, поэтому заряд перемещается к соединению.
• Как только прямое смещение становится больше, чем потенциальный барьер перехода, прямой ток увеличивается линейно.
• При прямом смещении, когда ток увеличивается линейно и быстро по сравнению с напряжением колена, происходит изменение тока, при этом увеличение прямого смещения происходит чрезвычайно медленно ниже напряжения колена.
• При прямом смещении в PN-переходе обедненный слой становится тонким, поскольку полярность внешнего источника постоянного тока противоположна фиктивной батарее, создавшей переход.
• Это приводит к падению потенциала на переходе и делает слой обеднения тонким, что, в свою очередь, приводит к низкому сопротивлению переходного диода.

Действие PN-перехода

Диод с p-n-переходом смещен в прямом направлении, когда положительная и отрицательная стороны подключены к положительной и отрицательной клеммам батареи соответственно.

В диодах с PN-переходом, смещенным в прямом направлении, электроны перемещаются от отрицательной клеммы батареи внутрь диода, и он пересекает точку P, чтобы соединиться с отверстиями. Затем электроны испускаются с положительной клеммы P-стороны батареи. Это создает больше свободных дырок, которые могут перемещаться внутри, а затем объединяются с электронами. Таким образом, обедненный слой вместе с барьерным потенциалом перехода уменьшается, а затем и уменьшается общее сопротивление диода.

Заключение

В соединении PN, когда прямое смещение увеличивается даже немного выше безопасного предела, оно будет повреждено. Это связано с большим количеством носителей заряда в прямом токе. Хотя носители заряда приобретают очень небольшую кинетическую энергию и могут выделять очень небольшое количество тепла, общего количества тепла, выделяемого всеми носителями, достаточно, чтобы разорвать ковалентную связь. Согласно нашим заметкам о PN-переходе, когда PN-переход смещен в прямом направлении, ширина обедненного слоя уменьшается; в результате он обеспечивает низкое сопротивление при прямом смещении.